據(jù)WSTS**公布數(shù)據(jù)顯示，2024年全球半導(dǎo)體銷售額同比增長(zhǎng)19.7%至6,305億美元，在人工智能推動(dòng)下，預(yù)測(cè)2030年的增長(zhǎng)將達(dá)到1萬億美元。

隨著芯片內(nèi)部三維結(jié)構(gòu)（如Chiplet堆疊、混合鍵合）日益復(fù)雜，三維集成技術(shù)的根本性突破正驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體制造變革。

傳統(tǒng)檢測(cè)無法精準(zhǔn)定位微米級(jí)缺陷（如TSV通孔空洞、焊球裂紋），納米級(jí)3D無損檢測(cè)技術(shù)成為先進(jìn)制造提升良率、避免千萬級(jí)損失的關(guān)鍵。

日聯(lián)科技

納米級(jí)開管3D/CT檢測(cè)裝備

以“AI+X-ray”賦能

助力檢測(cè)更清晰、更精準(zhǔn)、更便利

讓缺陷，立見于納米間

日聯(lián)科技 AX9500——多模式工業(yè)CT設(shè)備，創(chuàng)新融合開放式射線源無損穿透技術(shù)與 AI 智能檢測(cè)系統(tǒng)，具備 多模態(tài)高效取像能力。

該設(shè)備專為精密半導(dǎo)體檢測(cè)打造，通過三維無損掃描與高精度斷層成像，精準(zhǔn)捕捉并識(shí)別晶圓級(jí)及先進(jìn)封裝中的晶圓凸塊橋接、芯片冷焊、MEMS制造空洞等關(guān)鍵缺陷，有效破解行業(yè)高難度缺陷檢測(cè)瓶頸。

納米級(jí)開管

160kV高穿透

3D封裝中射線需穿透數(shù)十層堆疊結(jié)構(gòu)（總厚度可達(dá)數(shù)毫米），低能量X射線無法穿透高密度區(qū)域（如銅互連層）。

160kV輕松穿透多層異質(zhì)材料（如硅、銅等高密度材料），深度透視內(nèi)部信息，捕捉內(nèi)部缺陷。

2000X超級(jí)放大

隨著半導(dǎo)體技術(shù)革新，關(guān)鍵缺陷尺寸向亞微米級(jí)量化，清晰成像此類缺陷要求CT系統(tǒng)的空間分辨率達(dá)納米級(jí)。

日聯(lián)科技自研開放式射線源，分辨率達(dá)0.8 μm，納米焦點(diǎn)輕松鎖定TSV（硅通孔）空洞、芯片冷焊微裂紋等缺陷。

多模式取像

4 IN ONE

精度、效率、穿透深度、缺陷覆蓋構(gòu)成了半導(dǎo)體無損檢測(cè)的四面體式技術(shù)挑戰(zhàn)，任何單一成像模式至多滿足其中兩項(xiàng)。

錐束CT

平面CT

2.5D取圖

2D取圖

裝備擁有多達(dá)4種取像模式（2D、2.5D、錐束CT、平面CT），每種取像模式可以設(shè)置不同的分辨率、成像角度以及射線功率，滿足客戶不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

日聯(lián)AI檢測(cè)大模型

日聯(lián)科技作為工業(yè)X射線檢測(cè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，自2013年起即布局人工智能技術(shù)，致力于通過AI推動(dòng)行業(yè)變革。

AI圖像實(shí)時(shí)增強(qiáng)

日聯(lián)研究院自主研發(fā)的UEX算法，包含有：多重曝光圖像合成算法、明/暗度及對(duì)比度實(shí)時(shí)調(diào)整算法等圖像增強(qiáng)算法。

優(yōu)化前

優(yōu)化后

基于AI的圖像清晰度優(yōu)化算法打造，實(shí)時(shí)增強(qiáng)2D和2.5D圖像，優(yōu)化圖像細(xì)節(jié)（可30毫秒快速處理一張1536X1536像素的圖像)。

AI缺陷自動(dòng)測(cè)算

基于數(shù)十年的行業(yè)積累，日聯(lián)科技檢測(cè)集成工業(yè)檢測(cè)專用大數(shù)據(jù)庫，軟件成熟度高。

自研的圖像處理算法，可對(duì)目標(biāo)圖像進(jìn)行缺陷識(shí)別及缺陷面積計(jì)算, 0.5s即可完成一次AI氣泡率檢測(cè)。

當(dāng)3D封裝走向千層堆疊

日聯(lián)科技以AI賦能納米CT 穿透高精密半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)迷宮

用數(shù)據(jù)智算優(yōu)化人工判讀 驅(qū)動(dòng)工藝躍遷

以“零缺陷預(yù)控”重構(gòu)制造范式

日聯(lián)科技 智能3D/CT

實(shí)力見證

未來，已來